明后兩年全球晶圓產(chǎn)能將極速增漲,主要增長點來自于存儲芯
2020 年 01 月 03 日
我們處在一個信息爆炸的時代,而信息的產(chǎn)生與傳播離不開基本的硬件載體,根據(jù)市場調(diào)研機構(gòu)IC Insights最新研究報告指出,2020年全球?qū)⒂?0座新的12寸晶圓廠進入量產(chǎn)階段,全球晶圓產(chǎn)能將新增1790萬片8寸約當(dāng)晶圓,2021年新增產(chǎn)能將創(chuàng)歷史新高達2080萬片8寸約當(dāng)晶圓。新增產(chǎn)能主要來自于韓國大廠三星及SK海力士,以及長江儲存、武漢新芯、華虹宏力等我國大陸半導(dǎo)體廠。

報告指出,自2000年以來,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是靠著增加晶圓投片量來提高晶片出貨量,而利用制程微縮讓每片晶圓切割出更多晶片的貢獻并不多。事實上,自2000~2019年這20年當(dāng)中,每片晶圓切割出的良品晶片的每年平均成長率僅0.9%,但透過增加晶圓投片來增加的晶片每年平均成長率達6.5%??傮w來看,2000~2019年全球每年新增加的晶片數(shù)量,有86%來自晶圓投片量增加,只有14%是來自制程微縮讓每片晶圓切割出更多晶片。
半導(dǎo)體市場在2017~2018年間出現(xiàn)過存儲芯片及部份邏輯芯片缺貨的情況,DRAM及NAND Flash價格大漲,存儲芯片廠因此大舉擴充產(chǎn)能以回應(yīng)市場的強勁需求,晶圓代工廠及IDM廠也有擴建增加產(chǎn)能的計劃。不過,國際經(jīng)濟情勢不確定性導(dǎo)致半導(dǎo)體市場需求降溫,2019年存儲芯片價格一路走跌,存儲芯片廠也暫緩了產(chǎn)能擴充計劃,晶圓代工廠及IDM廠的產(chǎn)能利用率也同步下修。IC Insights統(tǒng)計,全球晶圓廠平均產(chǎn)能利用率在2018年達94%,但2019年降至86%。
但是對于半導(dǎo)體廠來說,產(chǎn)能擴充計劃沒有取消只是延后,其中擴產(chǎn)規(guī)模最大的還是來自于存儲芯片廠。由于近期DRAM及NAND Flash市況回溫,存儲芯片廠重啟產(chǎn)能擴充計劃,2020年及2021年全球新增晶圓產(chǎn)能將大幅增加,等于進入高速擴張期。
據(jù)業(yè)界消息,以三星為例,為積極擴增3D NAND產(chǎn)能,其位于西安的第二期晶圓廠已完工,預(yù)計2020年第一季開始量產(chǎn),三星位于韓國平澤廠旁的P2廠也已興建完成,預(yù)期2020年下半年進入量產(chǎn)。

